ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОПЛАЗМ В P-N ПЕРЕХОДЕ В ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ ТИПА GAN
Keywords:
нитрид галлия, GaN, p-n переход, микроплазмы, широкозонные полупроводники, электрическое поле, надежность.Abstract
В данной статье исследуются процессы формирования и характеристики микроплазм в p-n переходах диодов, изготовленных из широкозонного полупроводника GaN (нитрид галлия). Рассматриваются механизмы возникновения микроплазмовых явлений при высоких напряжениях, их влияние на электрические параметры диодов, а также возможные пути минимизации их воздействия. Приводятся результаты экспериментальных исследований, включая анализ вольт-амперных характеристик, распределения электрического поля и тепловых эффектов. Выявлено, что микроплазмы оказывают существенное влияние на надежность и долговечность GaN-диодов, что делает их исследование критически важным для разработки новых устройств. В заключении предложены рекомендации по улучшению структуры и технологии производства GaN-диодов.
Downloads
References
M. A. Khan, “GaN-Based Materials and Devices,” Springer, 2021.
R. C. Clarke et al., “Micropipes in GaN Substrates,” Journal of Applied Physics, Vol. 98, 2020.
